绿色技术：高效节能SiC功率器件及模块关键技术
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技术名称
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高效节能SiC功率器件及模块关键技术
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适用范围
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新能源汽车
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核心技术及工艺
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以晶圆为材料，通过结构外延生长、干法刻蚀、制作碳膜、高温氧化等工艺来制备SiC芯片。通过优化芯片结构，增强电流密度，形成高可靠性栅介质；采用超声波金属焊接工艺和粗铜线键合工艺，提高端子焊点抗疲劳寿命和连接可靠性；通过端子键合、双面散热、纳米银烧结等互连技术实现SiC一体化水冷封装。
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主要技术参数
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SiCMOSFET芯片：击穿电压≥1200V、导通电阻≤25mΩ，最高工作结温≥200℃。SiC功率模块：击穿电压≥1200V、导通电流≥400A，最高工作结温≥200℃。
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综合效益
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新能源汽车电机控制器系统效率99%。促进太阳能，风能等可再生能源发展，减少温室气体及有害气体排放。
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